auf Bestellung 27014 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 23+ | 2.27 EUR |
| 27+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.96 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2.8W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4946CDY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohmtariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6.1A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2.8W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 20046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 20046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 51.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SI4946CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 51.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Case: SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |