SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R
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Technische Details SI5404BDC-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.3W.

Preis SI5404BDC-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI5404BDC-T1-GE3
SI5404BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
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