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SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3 Vishay


si5441bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
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Technische Details SI5441BDC-T1-E3 Vishay

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Mounting: SMD, On-state resistance: 80mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI5441BDC-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73207.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Mounting: SMD
On-state resistance: 80mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 73207.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A
Mounting: SMD
On-state resistance: 80mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.1A
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Type of transistor: P-MOSFET
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