SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
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Technische Details SI5445BDC-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.3W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead.

Preis SI5445BDC-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI5445BDC-T1-GE3
SI5445BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
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