Produkte > VISHAY SILICONIX > SI5457DC-T1-GE3
SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix


si5457dc.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.45 EUR
6000+ 0.42 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Weitere Produktangebote SI5457DC-T1-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5457dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 28298 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.33 EUR
23+ 1.13 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si5457dc.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 185812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.33 EUR
46+ 1.15 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 78876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 78876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5457dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 5.7W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 56mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI5457DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5457dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 5.7W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 56mΩ
Produkt ist nicht verfügbar