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SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors


si5471dc.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
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Technische Details SI5471DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5471dc.pdf Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5471dc.pdf Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay si5471dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
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SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5471dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si5471dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
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SI5471DC-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si5471dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 96nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
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