SI5471DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI5471DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote SI5471DC-T1-GE3
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
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SI5471DC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A |
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