SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Gate charge: 30nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 22A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 6.1mΩ, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7108DN-T1-E3 nach Preis ab 2.51 EUR bis 5.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 17800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm |
auf Bestellung 5930 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
07PB |
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| SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 1792 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 22A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6.1mΩ Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7108DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 22A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6.1mΩ |
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