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Technische Details SI7135DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Weitere Produktangebote SI7135DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.99 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 17414 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3708 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
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SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Mounting: SMD Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -100A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7135DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Mounting: SMD Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -100A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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