SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
si7141dp.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details SI7141DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Base Part Number: SI7141, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300pF @ 10V, Vgs (Max): ±20V.

Preis SI7141DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7141DP-T1-GE3
Hersteller:
SI7141DP MOSFET P-CH D-S 20V 60A 19mOhm SOIC8
si7141dp.pdf si7141dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
si7141dp.pdf si7141dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
si7141dp-1764607.pdf
auf Bestellung 36351 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
si7141dp.pdf si7141dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
si7141dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Base Part Number: SI7141
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300pF @ 10V
Vgs (Max): ±20V
si7141dp.pdf
auf Bestellung 1729 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
si7141dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen