SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7141DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7141DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.55 EUR bis 5.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V |
auf Bestellung 27562 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 52413 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7141DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 16907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7141DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 400nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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