SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7190ADP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 15099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 14.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 56.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke |
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SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V |
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| SI7190ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 14.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 56.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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