SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 1+ | 5 EUR |
| 10+ | 4.21 EUR |
| 25+ | 3.96 EUR |
| 100+ | 3.4 EUR |
| 250+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
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Technische Details SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 135nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7192DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI7192DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V |
auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7192DP-T1-GE3 |
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auf Bestellung 34500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7192DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7192DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7192DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7192DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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