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SI7223DN-T1-GE3

SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7223dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
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Technische Details SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7223dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
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13+2.16 EUR
15+ 1.77 EUR
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SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7223dn.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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24+2.18 EUR
30+ 1.78 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 1.04 EUR
9000+ 1.02 EUR
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SI7223DN-T1-GE3 SI7223DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7223dn.pdf Description: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7223DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7223dn.pdf SI7223DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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