Produkte > VISHAY / SILICONIX > SI7322ADN-T1-GE3
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si7322adn.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 165889 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+1.57 EUR
38+ 1.38 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7322ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SI7322ADN-T1-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7322adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
SI7322ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7322adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar