SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 2.55 EUR |
| 6000+ | 2.45 EUR |
| 9000+ | 2.37 EUR |
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Technische Details SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7370DP-T1-E3 nach Preis ab 2.68 EUR bis 5.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V |
auf Bestellung 14430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 35296 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.8A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7370DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15.8A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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