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SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductors


73108.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W
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Technische Details SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 19A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 73108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
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SI7386DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73108.pdf 2007
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SI7386DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 73108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
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SI7386DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
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