SI7430DP-T1-GE3
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Technische Details SI7430DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA.
Preis SI7430DP-T1-GE3 ab 5.59 EUR bis 7.57 EUR
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SI7430DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R 
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SI7430DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
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auf Bestellung 2859 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT)
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