SI7430DP-T1-GE3

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SI7430DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SI7430DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA.

Preis SI7430DP-T1-GE3 ab 5.59 EUR bis 7.57 EUR

SI7430DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
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SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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