SI7431DP-T1-GE3
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Technische Details SI7431DP-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active.
Preis SI7431DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7431DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors 
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SI7431DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 9838 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8 Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active
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auf Bestellung 3919 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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