SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 4.86 EUR |
10+ | 4.37 EUR |
100+ | 3.51 EUR |
500+ | 2.88 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Power dissipation: 54.3W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 16.5nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 12.3A, On-state resistance: 0.17Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7434ADP-T1-RE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
||
SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Power dissipation: 54.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 250V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Power dissipation: 54.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 250V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |