SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
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Technische Details SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2648 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7454DDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |