SI7454DP-T1-E3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2575 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
auf Bestellung 2575 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Technische Details SI7454DP-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): ±20V, FET Type: N-Channel, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI7454DP-T1-E3 ab 1.16 EUR bis 5.23 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA 
|
auf Bestellung 152 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
||||||
|
SI7454DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V 40MOHMS@4.5V
|
auf Bestellung 1657 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||
|
SI7454DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix N-Channel 100V 5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
|
auf Bestellung 4 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
||||||
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Vgs (Max): ±20V FET Type: N-Channel Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
|
auf Bestellung 2468 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
||||||
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|