SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7454DP-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): ±20V, FET Type: N-Channel, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI7454DP-T1-E3 ab 1.16 EUR bis 5.23 EUR

SI7454DP-T1-E3
SI7454DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V 40MOHMS@4.5V
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Hersteller: Vishay Siliconix
N-Channel 100V 5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max): ±20V
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
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