SI7454DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7454DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8.

Preis SI7454DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7454DP-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7454DP-T1-GE3
SI7454DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
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