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Technische Details SI7456DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7456DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.06 EUR bis 5.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V |
auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.9W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V |
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| SI7456DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD |
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