SI7460DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7460DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Base Part Number: SI7460, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Preis SI7460DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 11879 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Base Part Number: SI7460
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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auf Bestellung 55356 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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