SI7460DP-T1-GE3
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Technische Details SI7460DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Base Part Number: SI7460, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Preis SI7460DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 11879 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Base Part Number: SI7460 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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auf Bestellung 55356 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT)
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