SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7460DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.41 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.9W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7460DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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