SI7460DP-T1-GE3

Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details SI7460DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Base Part Number: SI7460, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Preis SI7460DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 ![]() |
auf Bestellung 11879 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Base Part Number: SI7460 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V ![]() |
auf Bestellung 55356 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
SI7460DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|