SI7463DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7463DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7463DP-T1-GE3 nach Preis ab 3.76 EUR bis 7.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
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SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7463DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
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