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SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3 Vishay


si7489dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7489DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
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SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7489dp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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100+ 3.14 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.55 EUR
2500+ 2.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 43
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
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5+6.06 EUR
10+ 5.03 EUR
100+ 4.01 EUR
500+ 3.39 EUR
1000+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7489dp.pdf MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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9+6.16 EUR
11+ 5.12 EUR
100+ 4.08 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.94 EUR
3000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000694485-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000694485-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7489DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7489dp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7489dp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7489dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7489DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7489dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -28A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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