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SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3 Vishay


si7613dn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7613DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V.

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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7613dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7613dn.pdf MOSFET -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7613dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
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SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7613dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 52.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7613DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7613dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 52.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
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