SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 1.74 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.
Weitere Produktangebote SI7633DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3419 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 4628 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7633DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
| SI7633DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |