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SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3 Vishay


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SI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
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Technische Details SI7636DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.

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SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7636dp.pdf MOSFET 30V 28A 0.004Ohm
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SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7636dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7636DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY si7636dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; 5.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si7636dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
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SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si7636dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
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SI7636DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY si7636dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28A; Idm: 60A; 5.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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