SI7636DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7636DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
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