Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7655ADN-T1-GE3
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7655adn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
auf Bestellung 24900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.88 EUR
6000+ 0.84 EUR
9000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SI7655ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.84 EUR bis 2.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7655adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
auf Bestellung 26249 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.13 EUR
15+ 1.74 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 13
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7655adn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 65406 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.15 EUR
30+ 1.75 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.94 EUR
3000+ 0.86 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS100161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7655ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 0.003 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7655adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Produkt ist nicht verfügbar