SI7655ADN-T1-GE3
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Technische Details SI7655ADN-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S, Base Part Number: SI7655, Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 10V, Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI7655ADN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7655ADN-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI7655ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
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auf Bestellung 4359 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
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auf Bestellung 11 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S Base Part Number: SI7655 Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 10V Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 4617 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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