SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 28+ | 1.88 EUR |
| 33+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 3000+ | 0.7 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 16.5mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Power dissipation: 29.8W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 50A, Gate charge: 28nC, Drain current: 35.6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7772DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI7772DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7772DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2968 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SI7772DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 16.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 50A Gate charge: 28nC Drain current: 35.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7772DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7772DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 16.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 50A Gate charge: 28nC Drain current: 35.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V |
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