SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 15+ | 3.67 EUR |
| 17+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 250+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 3000+ | 1.6 EUR |
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Technische Details SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.4A, On-state resistance: 84mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7810DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI7810DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7810DN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7810DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7810DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7810DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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