SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7818DN-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI7818, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis SI7818DN-T1-E3 ab 1.69 EUR bis 4.73 EUR

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI7818
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Base Part Number: SI7818
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
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