SI7818DN-T1-E3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 191 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
auf Bestellung 191 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Technische Details SI7818DN-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI7818, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis SI7818DN-T1-E3 ab 1.69 EUR bis 4.73 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 
|
auf Bestellung 2 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||
|
SI7818DN-T1-E3 Hersteller: VISHAY 09+
|
233 Stücke |
|
|
||||||
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||
|
SI7818DN-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix Base Part Number: SI7818 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±20V FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
|
auf Bestellung 4449 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
||||||
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Base Part Number: SI7818 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
|
auf Bestellung 2363 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|