SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

Hersteller: VISHAY

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Technische Details SI7858ADP-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 6V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Base Part Number: SI7858.

Preis SI7858ADP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
SI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
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Hersteller: Vishay
SI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 6V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Base Part Number: SI7858
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 6V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Base Part Number: SI7858
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