SI7956DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7956DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI7956DP-T1-GE3 nach Preis ab 4.19 EUR bis 7.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI7956DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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SI7956DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SI7956DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI7956DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SI7956DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
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