SI7962DP-T1-E3
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Technische Details SI7962DP-T1-E3
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.4W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA.
Preis SI7962DP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA 
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 40V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A
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