SI7964DP-T1-E3
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Technische Details SI7964DP-T1-E3
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7964DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI7964DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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