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SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix


si8429db.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
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Technische Details SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.77W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.77W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Semiconductors si8429db.pdf MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
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SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Hersteller : Vishay Siliconix si8429db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
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SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001302268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 2.77W
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Verlustleistung: 2.77W
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001302268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI8429DB-T1-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10.2 A, 0.029 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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SI8429DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8429db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Hersteller : Vishay si8429db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 8V 11.7A 4-Pin Micro Foot T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI8429DB-T1-E1 Hersteller : VISHAY si8429db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
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