SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.43 EUR |
| 6000+ | 0.41 EUR |
| 9000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.022 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote SI8483DB-T2-E1 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
auf Bestellung 134500 Stücke: Lieferzeit 525-539 Tag (e) |
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SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.022 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 7521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8483DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.022 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 7521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI8483DB-T2-E1 Produktcode: 178232 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI8483DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |