SI8497DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
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|---|---|
| 38+ | 1.38 EUR |
| 45+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
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Technische Details SI8497DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 13W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 49nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: -20A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -13A, On-state resistance: 0.12Ω, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI8497DB-T2-E1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI8497DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT |
auf Bestellung 3713 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI8497DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI8497DB-T2-E1 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI8497DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A On-state resistance: 0.12Ω Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI8497DB-T2-E1 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A On-state resistance: 0.12Ω |
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