SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
71830-1765487.pdf
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Technische Details SI8900EDB-T2-E1

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP, Base Part Number: SI8900, Supplier Device Package: 10-Micro Foot™ CSP (2x5), Package / Case: 10-UFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis SI8900EDB-T2-E1 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI8900EDB-T2-E1
SI8900EDB-T2-E1
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Base Part Number: SI8900
Supplier Device Package: 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Package / Case: 10-UFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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