SI8900EDB-T2-E1
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Technische Details SI8900EDB-T2-E1
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP, Base Part Number: SI8900, Supplier Device Package: 10-Micro Foot™ CSP (2x5), Package / Case: 10-UFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis SI8900EDB-T2-E1 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP Base Part Number: SI8900 Supplier Device Package: 10-Micro Foot™ CSP (2x5) Package / Case: 10-UFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) 
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