SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.41 EUR |
| 16+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9433BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI9433BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.91 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V |
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SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9433BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
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| SI9433BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SO8 |
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