SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDYT1E3
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Technische Details SI9926BDYT1E3
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Base Part Number: SI9926, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.14W, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI9926BDYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI9926BDYT1E3 Hersteller: VISHAY |
9000 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R 
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SI9926BDY-T1-E3 Hersteller:
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9080 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 1.14W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Base Part Number: SI9926 Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.14W Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 1.14W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT)
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