SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDYT1E3

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9000 Stücke

Technische Details SI9926BDYT1E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Base Part Number: SI9926, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.14W, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI9926BDYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI9926BDYT1E3
Hersteller: VISHAY

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SI9926BDY-T1-E3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9926BDY-T1-E3
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9080 Stücke
SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 1.14W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
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SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Base Part Number: SI9926
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.14W
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 1.14W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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