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SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3 Vishay


si9926cd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI9926CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9926cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9926cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9926cd.pdf MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9926cd.pdf Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9926cd.pdf Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si9926cd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9926cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si9926cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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