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Technische Details SI9926CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI9926CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.47 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 18493 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 5477 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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