SIA106DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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| 3+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
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Technische Details SIA106DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 19W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 22.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIA106DJ-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIA106DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
auf Bestellung 5601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA106DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIA106DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA106DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA106DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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