SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20950 Stücke:
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Technische Details SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIA110DJ-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIA110DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIA110DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 5991 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIA110DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA110DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA110DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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