SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.37 EUR |
| 6000+ | 0.35 EUR |
| 9000+ | 0.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIA440DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
auf Bestellung 22594 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 210688 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 84490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
SIA440DJ-T1-GE3 Produktcode: 192984 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |