SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 7.7A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 12W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 177mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIA446DJ-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIA446DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SIA446DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 177mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIA446DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA446DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 177mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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