SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.38 EUR |
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| 30000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SIA447DJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
auf Bestellung 45848 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V |
auf Bestellung 89712 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 47305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA447DJ-T1-GE3 Produktcode: 188286 |
IC > IC andere |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIA447DJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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