SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay
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Technische Details SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SIA519EDJ-T1-GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.45 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N- & P- Channel 20V MOSFET |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA519EDJ-T1-GE3 Produktcode: 168959 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |